霍尔效应测量系统
温度:80-500K, 300-730K, 常温
磁场:可变电磁场0.5T,1T,1.4T, 2T, 永磁场0.5T
载流子浓度
迁移率
电阻率
霍尔系数
判断PN结
美国TST(原MMR)公司,与斯坦福大学合作开发了专业的致冷器,其具有特别小的震动(埃米级别)、宽控温范围(70~730K)及高温度稳定性(0.1K),并将其应用在以下测量系统,提高了系统的整体性能。各个系统均采用模块设计,客户可根据实际要求配置系统,也方便日后升级。其主要客户有Standford Univ,University of CambridgeAT&&Bell Labs,NASA,IBM,Intel,AMD,中科院等。
霍尔效应测量系统主要用于研究光电材料的电学特性,可以测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型
系统组成:
主要参数:
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样品固定方式:弹簧探针或引线治具
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温度:80~500K;室温~730K;室温(可选)
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磁场:5000Gauss永磁铁,5000Gauss电磁场, 1T电磁场, 1.4T电磁场, 2T电磁场(可选)
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温度稳定度:<=0.05K
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温度响应:1K/sec
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致冷片:10X14 mm
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电阻率:10-6~1013 Ohm*cm
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载流子迁移率:1~107 cm2/volt*sec
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载流子浓度:103~1019cm-3
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电流范围:1 pA~10mA
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电压范围:+/-2.5V,最小可测到6X10-6 V
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电阻范围:10 m Ohms~ 10G Ohms
主要特点:
主要客户:
uStandford Univ
uUniversity of Cambridge
uNo. Carolina State Univ
uAT&&Bell Labs
uNASA
uIBM
uIntel
uAMD
uCorning Inc
uPhilips Lumileds Lighting
uLockheed Martin
uToyota Tech Center
uSeagate
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u山东大学
u上海交通大学
u北京航空航天大学
u北京师范大学
u天津理工大学
u华南理工大学
u西安工业大学
u陕西科技大学
u东北大学
u常州大学
u上海光机所
u上海微系统所
u新疆理化所
u福建物构所
u沈阳金属所
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